Silisen yada iki boyutlu (2D) grafen benzeri silikon allotrop, son zamanlarda nanoteknolojideki çeşitli uygulamalar için ümit verici bir aday olarak ortaya çıkmıştır. Bununla beraber, kararlılığıyla ilgili fazlaca azca kaygı bugüne dek devam etmektedir ve uyumlu ve rekabetçi cihazlar oluşturmak için ele alınması gerekmektedir. Burada, tipik olarak bir kaplama tabakası (örn., Al2O3) ve destekleyici substrat (örn., Ag) arasına sıkıştırılmış, silis için mevcut son olarak hızla gelişen teknolojinin ötesinde, fazlaca yönlü bir kapsülleme metodolojisi sunuyoruz. Bu çerçevede, bir yada iki esirgemez 2D Sn katmanının eklenmesi, değişik atomik olarak ince kapsülleme şemalarının gerçekleştirilmesini sağlar ve silisenin bozulmamış özelliklerini korurken onu gelişme şablonundan ayırır. Bir taraftan, silisenin altına bir 2D Sn katmanının eklenmesi, Ag substratının çıkarılmasına izin vererek, mesela üstteki oksit kanalıyla kolayca geçilebilen silisini stabilize eder. Öte taraftan, silisenin alt ve üst yüzlerinin 2D Sn katmanları tarafınca korunduğu tam bir 2D kapsülleme şeması, silisenin aylarca bozulmasını önleyen atomik olarak ince ve cm2 ölçekli bir zar oluşturur. Bundan dolayı her iki şema da ortam koşullarında silis stabilitesi ve kapsülleme için bir ilerleme oluşturur ve esnek elektronik ve fotonikte daha çok sömürünün yolunu açar.
Source: pubs.rsc.org