
(a) Yapınış MoS’nin şemaları2 FET’ler, (b) TiS serisine haiz cihazların ölçülen geçirme eğrileriX hem semilog hem de lineer ölçeklerde temas kalınlıkları. Referans numune için veriler de sağlanır. Kredi: Nano Ölçekli Gelişmeler (2023). DOI: 10.1039/D3NA00387F
İki boyutlu geçiş metali dikalkojenitler (2D TMD’ler), bilhassa MoS2, yeni nesil 2D malzemelerin ön saflarında yer almıştır ve bunların elektronik aygıt uygulamaları için makul performansla büyük ölçekte üretilmesi için endüstriyel düzeyde çaba sarf edilmektedir. Çoğu zaman teşhir uygulamaları için 2 santimetre’lik şarj taşıyıcı hareketliliği2/Vs yeterlidir.
Mekanik olarak pul pul dökülmüş olmasına karşın MoS2 bundan oldukca daha yüksek hareketliliğe haiz olduğu iyi bilinir, geniş alanlı üretimi zor olsa gerek. Ek olarak Au, Ti, Ni benzer biçimde standart 3D metaller yerine yeni nesil 2D metaller ile temas ettirilirse 2D TMD cihazlarının performansının iyi mi olacağı belirsizdir.
Bundan dolayı, Hollanda’daki Eindhoven Teknoloji Üniversitesi’ndeki (Salı) ve Hindistan’daki SRM Bilim ve Teknoloji Enstitüsü’ndeki (SRMIST) araştırmacılar kısa sürede Nano Ölçekli Gelişmeler 2D metal TiS’nin geniş alan büyümesi üstüneX 2D yarı iletken MoS’nin üstünde2 plazma ile güçlendirilmiş atomik katman büyümesi (PEALD) tekniği ile.
Bu tür malzemeler içinde atomik olarak temiz bir arayüz elde etmek için gelişme koşullarını optimize etmek oldukca zor olsa gerek. Araştırmacılar, MoS’nin transistör performansının2 2D metal TiS ile temas ettiğinde neredeyse iki kat daha iyiX Ti ve Au 3D metallerle karşılaştırıldığında. Eğilim, transistörün liyakat rakamlarının çoğunda gözlemlendi. Bu prosedür gelecekte bu tür birçok araç-gereç için kullanılabilir.
Çeşitli sıcaklıklarda yük taşıma emek vermesi, meta-yarı iletken bağlantı bariyer yüksekliğindeki değişimleri ve bunun temas direnci üstündeki tesirini ortaya çıkardı. Bu yeni sistemi idrak etmek için araştırmacılar, yük taşıyıcıların atomik katmanlardaki dağılımını görselleştirmek için TCAD aygıt simülasyonu gerçekleştirdiler. TiS varlığında fark edilirXMoS’nin içsel yük taşıyıcı yoğunluğu2 artar, bu da performansın artmasına neden olur.
Bu sonuçlar, 2D ve 3D aygıt entegrasyonundaki metalik temasların incelmesine ve aygıt yoğunluğunun artmasına olanak elde edecektir. Bu örnek araştırma, gelecekteki kuantum cihazlarında ve 2B metal yarı iletkenlerin arayüzü süresince yeni yük taşıma denklemlerinin belirlenmesinde mühim bir rol oynayacaktır.
Daha çok data:
Reyhaneh Mahlouji ve arkadaşları, MoS2 alan etkili transistörler için ALD tarafınca geliştirilmiş iki boyutlu TiSx metal kontaklar, Nano Ölçekli Gelişmeler (2023). DOI: 10.1039/D3NA00387F
SRM Bilim ve Teknoloji Enstitüsü tarafınca sağlanmıştır
Alıntı: Araştırmacılar, 18 Ağustos 2023 tarihinde https://phys.org/news/2023-08-semiconductors-2d-metal.html adresinden alınan yeni 2D metal (2023, 18 Ağustos) kullanarak yarı iletkenlerin performansını iyileştirdi
Bu belge telif haklarına tabidir. Kişisel emek verme yada araştırma amaçlı adil tecim haricinde, yazılı izin olmaksızın hiçbir bölüm çoğaltılamaz. İçerik yalnız bilgilendirme amaçlıdır.
Source: phys.org